一种锑化钴基热电元件及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种锑化钴基热电元件及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201610817232.5

申请日期:

第一发明人:

史迅

其他发明人:

初靖,柏胜强,顾明,唐云山,夏绪贵,陈立东,吴汀

专利授权日期: