专利名称:
磁控溅射低温制备二氧化钒薄膜的方法
专利类别:
发明
专利(申请)号:
201611155264.X
申请日期:
第一发明人:
曹逊
其他发明人:
金平实,常天赐,龙世伟,孙光耀
专利授权日期: