一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201710847497.4

申请日期:

第一发明人:

马名生

其他发明人:

林琳,刘志甫,李永祥

专利授权日期: