高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长装置--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长装置

专利类别:

实用新型

专利（申请）号:

201621105362.8

申请日期:

第一发明人:

高攀

其他发明人:

严成锋、忻隽、孔海宽、刘学超、施尔畏

专利授权日期: