在压电陶瓷中获得大应变效应的极化老化处理方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

在压电陶瓷中获得大应变效应的极化老化处理方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201511025910.6

申请日期:

第一发明人:

梁瑞虹

其他发明人:

王磊、董显林、周志勇、赵小波、张文斌、杨冰冰

专利授权日期: