专利名称:
一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法
专利类别:
发明
专利(申请)号:
201511008671.3
申请日期:
第一发明人:
周仁伟
其他发明人:
刘学超、郑燕青、施尔畏
专利授权日期: