专利名称:
一种具有高稳定性的介孔复合半导体材料的原位生长制备方法
专利类别:
发明
专利(申请)号:
201510671661.1
申请日期:
第一发明人:
李孟丽
其他发明人:
张玲霞、杜燕燕、吴玫颖、王敏、施剑林
专利授权日期: