一种制备反应烧结碳化硅含碳多孔素坯的水基流延方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种制备反应烧结碳化硅含碳多孔素坯的水基流延方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201510649835.4

申请日期:

第一发明人:

刘学建

其他发明人:

宋盛星、朱云洲、姚秀敏、殷杰、李晓光、陈忠明、黄政仁

专利授权日期: