专利名称:
一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法
专利类别:
发明
专利(申请)号:
201510536030.9
申请日期:
第一发明人:
陈卫宾
其他发明人:
刘学超、卓世异、施尔畏、孔海宽
专利授权日期: