专利名称:
氧化锌基稀磁半导体薄膜的制备方法及其电荷浓度的原位调控方法
专利类别:
发明
专利(申请)号:
201410723315.9
申请日期:
第一发明人:
朱秋香
其他发明人:
郑仁奎、李效民
专利授权日期: