一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201410145144.6

申请日期:

第一发明人:

黄富强

其他发明人:

黄海宁、毕辉

专利授权日期: