方钴矿基热电元件设备及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

方钴矿基热电元件设备及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201310338239.5

申请日期:

第一发明人:

陈立东

其他发明人:

李菲、黄向阳、顾明、李小亚、夏绪贵、唐云山、何琳、庄承钢

专利授权日期: