四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201310178543.8

申请日期:

第一发明人:

刘锦峰

其他发明人:

许桂生、杨丹凤、刘莹

专利授权日期: