一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201310559528.8

申请日期:

20131112

第一发明人:

唐慧丽、徐军、钱小波、罗平、姜大朋、吴锋、王静雅、唐飞

其他发明人:

专利授权日期:

20160106