一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201410364075.8

申请日期:

20140729

第一发明人:

黄政仁、梁汉琴、刘学建、姚秀敏

其他发明人:

专利授权日期:

20160106