利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201310178070.1

申请日期:

20130514

第一发明人:

胡海龙、曾宇平、左开慧、夏咏锋、姚东旭、孙庆波

其他发明人:

专利授权日期:

20160323