高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201310294766.0

申请日期:

20130712

第一发明人:

李寅生、闫永杰、黄政仁、刘学建、陈忠明

其他发明人:

专利授权日期:

20160323