制备氧化锆基Nox传感器的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

制备氧化锆基Nox传感器的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201210564623.2

申请日期:

20121224

第一发明人:

冯涛、夏金峰、蒋丹宇、黄德信、徐兵、李雨林、粘洪强、徐海芳

其他发明人:

专利授权日期:

20160413