轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110447811.2

申请日期:

20111228

第一发明人:

刘熙、严成峰、忻隽、孔海宽、肖兵、杨建华、施尔畏

其他发明人:

专利授权日期:

20160413