下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置与方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置与方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201210322219.4

申请日期:

20120903

第一发明人:

王绍华、倪海洪、周里华、陈俊锋、刘光煜、赵鹏、袁兰英、周学农、张健、宋桂兰、齐雪君、李赟、陆裕贵、杜勇、李文朋、李敏、徐力、孙世允、刘训龙

其他发明人:

专利授权日期:

20160406