原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201310504623.8

申请日期:

20131023

第一发明人:

裴兵兵、朱云洲、黄政仁、姚秀敏、袁明

其他发明人:

专利授权日期:

20160323