具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201210050830.6

申请日期:

20120229

第一发明人:

忻隽、孔海宽、严成峰、刘熙、肖兵、杨建华、施尔畏

其他发明人:

专利授权日期:

20160518