能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201410520197.1

申请日期:

20140930

第一发明人:

仇鹏飞、史迅、陈立东、张天松

其他发明人:

专利授权日期:

20160518