一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚

专利类别:

实用新型

专利（申请）号:

201521114037.3

申请日期:

20151229

第一发明人:

孔海宽，忻隽，陈建军，郑燕青，施尔畏

其他发明人:

专利授权日期:

20160518