一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201310081938.6

申请日期:

20130314

第一发明人:

刘光辉、杨华、刘茜、魏钦华、周真真、卢琦

其他发明人:

专利授权日期:

20160323