正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110439851.2

申请日期:

20111223

第一发明人:

常少辉、黄维、刘学超、杨建华、施尔畏

其他发明人:

专利授权日期:

2160323