碳化硅多孔陶瓷的低温烧成方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

碳化硅多孔陶瓷的低温烧成方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201310364696.1

申请日期:

20130820

第一发明人:

席红安、李勤、张继周、王若钉

其他发明人:

专利授权日期:

20160810