一种MoS2纳米片的可控合成及同步表面修饰方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种MoS2纳米片的可控合成及同步表面修饰方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201410314766.7

申请日期:

20140703

第一发明人:

王世革、陈航榕、施剑林、马明

其他发明人:

专利授权日期:

20160817