三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201310178564.X

申请日期:

20130514

第一发明人:

刘锦峰、许桂生、杨丹凤、刘莹

其他发明人:

专利授权日期:

20160810