硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201210593282.1

申请日期:

20121231

第一发明人:

涂小牛，郑燕青，孔海宽，杨建华，施尔畏

其他发明人:

专利授权日期:

20160803