用于钠硫电池的阴极导电过渡层及包含其的钠硫电池--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

用于钠硫电池的阴极导电过渡层及包含其的钠硫电池

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201210158420.3

申请日期:

20120518

第一发明人:

温兆银、胡英瑛、吴相伟、曹佳弟、吴梅芬、张敬超

其他发明人:

专利授权日期:

20150325