高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110281114.4

申请日期:

20110921

第一发明人:

黄维、常少辉、刘学超、王乐星、庄击勇、陈辉、施尔畏

其他发明人:

专利授权日期:

20150617