钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201310027583.2

申请日期:

20130124

第一发明人:

苏良碧、詹曜宇、李红军、王庆国、钱小波、姜大朋、汪传勇、王静雅、徐军

其他发明人:

专利授权日期:

20150617