利用直流磁控溅射制备高阻透明ZnO薄膜的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

利用直流磁控溅射制备高阻透明ZnO薄膜的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201010217128.5

申请日期:

20100630

第一发明人:

黄富强、万冬云、汪宙

其他发明人:

专利授权日期: