Ba8Ga16Ge30热电单晶的生长方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

Ba8Ga16Ge30热电单晶的生长方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110415867.X

申请日期:

20111214

第一发明人:

周燕飞、陈立东、吴汀

其他发明人:

专利授权日期:

20151021