氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201310178105.1

申请日期:

20130514

第一发明人:

胡海龙、曾宇平、左开慧、夏咏锋、姚东旭、孙庆波

其他发明人:

专利授权日期:

20151028