专利名称:
一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法
专利类别:
发明
专利(申请)号:
201310185351.X
申请日期:
20130517
第一发明人:
刘吉轩、张国军、刘海涛
其他发明人:
专利授权日期:
20151028