下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201210322557.8

申请日期:

20120903

第一发明人:

倪海洪、王绍华、周里华、刘光煜、陈俊锋、赵鹏、袁兰英、宋桂兰、齐雪君、张健

其他发明人:

专利授权日期:

20151028