高导热性的钨铜热沉和电子封装材料及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

高导热性的钨铜热沉和电子封装材料及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201210004361.4

申请日期:

20120109

第一发明人:

牛亚然、郑学斌、谢有桃、黄利平、季珩

其他发明人:

专利授权日期:

20151021