快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201210050324.7

申请日期:

20120229

第一发明人:

黄维、王乐星、庄击勇、陈辉、杨建华、施尔畏

其他发明人:

专利授权日期:

20151104