低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201210516363.1

申请日期:

20121205

第一发明人:

李玉臣，董显林，姚烈

其他发明人:

专利授权日期:

20140122