一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种反应烧结SiC陶瓷的制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110036749.8

申请日期:

20110131

第一发明人:

罗朝华、江东亮、张景贤、林庆玲、陈忠明、黄政仁

其他发明人:

专利授权日期:

20140618