一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110216528.9

申请日期:

20110722

第一发明人:

王焱、孙静、靳喜海、刘阳桥

其他发明人:

专利授权日期:

20140716