二氧化钒智能温控薄膜制备用有机钒源及该薄膜制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

二氧化钒智能温控薄膜制备用有机钒源及该薄膜制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110342511.8

申请日期:

20111103

第一发明人:

黄富强、丁尚军、刘战强、李德增

其他发明人:

专利授权日期:

20140716