一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110031688.6

申请日期:

20110128

第一发明人:

刘学超、陈之战、杨建华、施尔畏

其他发明人:

专利授权日期:

20141105