一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110397518.X

申请日期:

20111202

第一发明人:

熊巍、袁晖、周尧、陈良

其他发明人:

专利授权日期:

20141105