大应力碳化硅晶体的初加工方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

大应力碳化硅晶体的初加工方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110453604.8

申请日期:

20111230

第一发明人:

陈辉、庄击勇、王乐星、黄维、杨建华、施尔畏

其他发明人:

专利授权日期:

20141105