一种氟化镁钡单晶的生长方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种氟化镁钡单晶的生长方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201110434476.2

申请日期:

20111122

第一发明人:

武安华、徐军、苏良碧、李红军、钱国兴、姜林文、钱小波、王静雅

其他发明人:

专利授权日期:

20141119