High-Purity Tellurium Dioxide Single Crystal and Manufacturing Method Thereof--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

High-Purity Tellurium Dioxide Single Crystal and Manufacturing Method Thereof

专利类别:

欧洲发明

专利（申请）号:

EP10758067.2/2415912

申请日期:

20110929

第一发明人:

葛增伟、朱勇、吴国庆、殷学技、唐林耀、赵寒冰、顾李臻

其他发明人:

专利授权日期:

20140709