稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201210114614.3

申请日期:

20120419

第一发明人:

王庆国、徐军、苏良碧、郑丽和、李红军、徐晓东

其他发明人:

专利授权日期:

20141224